洞天（3D立体集成）-珠海天成先进半导体科技有限公司

洞天（3D立体集成）

山中洞穴，贯通群山，宛如自然之脉络，布局精妙绝伦，构造宛若天成。

好比于晶圆之上制作TSV硅通孔，实现3D堆叠芯片之间的高密度垂直互连，在同样的工艺节点下成倍提升晶体管的集成度，微小之中蕴藏宏大集成。

3D封装解决方案

通过TSV、晶圆重构、堆叠等工艺技术，以3D TSV Si堆叠、重构堆叠、Si Interposer堆叠等方式，实现存储芯片、裸芯片等3D集成，增加TSV立体集成工艺兼容性和灵活性。

九重 | 三维集成技术体系纵横（2.5D系统集成）洞天（3D立体集成）方圆（高端封装）核心工艺设计仿真测试质量管理

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集成技术代表产品能力

集

汇

合

集

3D TSV Integration

TSV能力

TSV Diameter：5/10μm

TSV Aspect Ratio：10:1

Wafer Thickness：50/100μm

RDL L/S：2μm/2μm

Die Stacked：8

uBump Diameter：20μm，Pitch：35μm

应用领域

通过TSV、晶圆重构、堆叠等工艺技术，以3D TSV Si堆置、重构堆疊、Si Interposer堆叠等方式，实现存储芯片、裸芯片等3D集成，增加TSV立体集成工艺兼容性和灵活性。

汇

3D TSV Ultra Integration

3D TSV 晶圆埋置重构集成技术能力

TSV Diameter ：20μm

TSV Aspect Ratio ：15:1

Wafer Thickness ：300μm

RDL L/S ：5μm/5μm

uBump Diameter：20μm，Pitch：35μm

Die Stacked：9

Embedded Chip Size：10mm×10mm

3D TSV 转接板异质异构集成技术能力

TSV Diameter ：20/30μm

TSV Aspect Ratio ：10:1

RDL L/S ：2μm/2μm

Interposer Stacked：3

应用领域

合

3D TSV Lite Integration

3D TSV 晶圆埋置重构集成技术能力

Cavity Wall Height：30/40±3um

Pad Interconnection：Laser Dielectric Etch

Au Thickness：0.03-0.08um

Bond shift ≤ ±15µm

RDL Line width≥30um，Space≥30um

Ball Diameter ≥200um

Trench Depth ≥70um，Angle：61°-71°

Cu Thickness：3.5±0.5um

Dicing shift ≤ ±5µm

Via Depth ≥30um ，Angle：61°-71°

Ni Thickness：3±0.5um

Package Type：MVP MVP+ UT Single Trench

应用领域